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IXTP1N100中文资料

IXTP1N100图片

IXTP1N100外观图

  • 大小:536KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:11 欧姆 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:14.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:400pF @ 25V
  • 功率 - 最大:54W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件

IXTP1N100供应商

更新时间:2023-04-02 09:27:27
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